收藏本站
US6J11
l Electrical characteristic curves
Fig.13 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(I)
10000
T a =25oC
Pulsed
1000
Data Sheet
Fig.14 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Junction Temperature
300
250
200
150
100
10
0.01
0.1
V GS = - 1.5V
V GS = - 1.8V
V GS = - 2.5V
V GS = - 4.5V
1
10
100
50
0
-50 -25
0
25
50
75
V GS = - 4.5V
I D = - 1.3A
Pulsed
100 125 150
Drain Current : -I D [A]
Junction Temperature : T j [oC]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
7/11
2012.10 - Rev.B
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
US6K2TR MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6
US6K4TR MOSFET N-CH DUAL 20V 1.5A TUMT6
US6M11TR MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TUMT6
US6M1TR MOSFET N+P 30,20V 1A TUMT6
US6U37TR MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT6
USP3021RA THERMISTOR NTC 10K OHM 1% PROBE
USP3986RC THERMISTOR NTC 100K OHM 1% PROBE
USUG1000-103GRB THERMISTOR NTC 10K 2% DO-35 UL
相关代理商/技术参数
US6J2 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Small switching (−20V, −1A)
US6J2PAK 功能描述:电路保护套件 ASSEM KIT for LFPSJ 60A 2 Pole RoHS:否 制造商:Sola/Hevi-Duty 产品:Hardware 系列: 类型:Terminal Cover
US6J2TR 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
US6J3 制造商:Ferraz Shawmut 功能描述:
US6J3PAK 功能描述:电路保护套件 ASSEM KIT for LFPSJ 60A 3 Pole RoHS:否 制造商:Sola/Hevi-Duty 产品:Hardware 系列: 类型:Terminal Cover
US6JPAK 制造商:Ferraz Shawmut 功能描述:
US6K1 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch+Nch MOS FET
US6K1_09 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch+Nch MOSFET